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| 加工定制:否 | r应用范围:达林顿 | r
| 材料:硅(Si) | r极性:NPN型 | r
| 击穿电压VCEO:1000(V) | r集电极**大允许电流ICM:0(A) | r
| 集电极**大耗散功率PCM:0(W) | r截止频率fT:0(MHz) | r
| 结构:点接触型 | r封装形式:直插型 | r
| 封装材料:树脂封装 | r
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