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加工定制:否	应用范围:达林顿
材料:硅(Si)	极性:NPN型
击穿电压VCEO:1000（V）	集电极**大允许电流ICM:0（A）
集电极**大耗散功率PCM:0（W）	截止频率fT:0（MHz）
结构:点接触型	封装形式:直插型
封装材料:树脂封装

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